CVD 200
自主研發8英寸(可向下兼容6英寸)等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備。
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描述
產品特點
1.基于硅烷體系薄膜沉積方案,可選TEOS 及硼磷摻雜工藝需求;
2.單腔體多工位設計,產能高;
3.獨立工位溫度控制,wafer 均勻性更好,膜質更佳;
4.操作系統基于Windows進行研發的符合半導體標準軟件控制系統,操作人性化,符合國人操作習慣;
5.噴淋頭工藝間距可直接調整,維護簡單,設備利用率高;
6.向下兼容6英寸Wafer;
應用領域
主要應用于集成電路邏輯芯片、功率器件、傳感器等集成電路領域,可以沉積SiO 2 、 SiN、 SiON等介質材料薄膜。




