產(chǎn)品特點

1.基于硅烷體系薄膜沉積方案，可選TEOS 及硼磷摻雜工藝需求；
2.雙頻射頻系統(tǒng)，應(yīng)力調(diào)節(jié)范圍更寬；
3.毫秒級精準(zhǔn)參數(shù)控制，工藝控制精度高；
4.操作系統(tǒng)基于Windows進行研發(fā)的符合半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)軟件控制系統(tǒng)，操作人性化，符合國人操作習(xí)慣；
5.全自動晶圓工藝處理；
6.設(shè)備占地面積小，場地利用率高；
7.向下兼容4英寸Wafer；

應(yīng)用領(lǐng)域

第三代半導(dǎo)體，功率半導(dǎo)體及LED芯片制造領(lǐng)域。